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      聚焦离子束(FIB)技术在芯片设计及加工过程中的应用
   入学要求

        学员学习本课程应具备下列基础知识:
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       为了保证培训效果,增加互动环节,我们坚持小班授课,每期报名人数限3到5人,多余人员安排到下一期进行。
   上课时间和地点
上课地点:【上海】:同济大学(沪西)/新城金郡商务楼(11号线白银路站) 【深圳分部】:电影大厦(地铁一号线大剧院站)/深圳大学成教院 【北京分部】:北京中山学院/福鑫大楼 【南京分部】:金港大厦(和燕路) 【武汉分部】:佳源大厦(高新二路) 【成都分部】:领馆区1号(中和大道) 【沈阳分部】:沈阳理工大学/六宅臻品 【郑州分部】:郑州大学/锦华大厦 【石家庄分部】:河北科技大学/瑞景大厦 【广州分部】:广粮大厦 【西安分部】:协同大厦
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FIB培训班:2019年11月25日
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        1、培训过程中,如有部分内容理解不透或消化不好,可免费在以后培训班中重听;
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        聚焦离子束(FIB)技术在芯片设计及加工过程中的应用

FIB技术介绍

FIB(聚焦离子束)是将液态金属(Ga)离子源产生的离子束经过离子枪加速,聚焦后照射于样品表面产生二次电子信号取得电子像.此功能与SEM(扫描电子显微镜)相似,或用强电流离子束对表面原子进行剥离,以完成微、纳米级表面形貌加工.通常是以物理溅射的方式搭配化学气体反应,有选择性的剥除金属,氧化硅层或沉积金属层。

FIB技术的在芯片设计及加工过程中的应用介绍

FIB应用项目

?IC芯片电路修改

用FIB对芯片电路进行物理修改可使芯片设计者对芯片问题处作针对性的测试,以便更快更准确的验证设计方案。?若芯片部份区域有问题,可通过FIB对此区域隔离或改正此区域功能,以便找到问题的症结。
???? FIB还能在最终产品量产之前提供部分样片和工程片,利用这些样片能加速终端产品的上市时间。利用FIB修改芯片可以减少不成功的设计方案修改次数,缩短研发时间和周期。

?Cross-Section?截面分析

????用FIB在IC芯片特定位置作截面断层,以便观测材料的截面结构与材质,定点分析芯片结构缺陷。

?Probing??Pad

????在复杂IC线路中任意位置引出测试点,?以便进一步使用探针台(Probe-?station)?或?E-beam?直接观测IC内部信号。

?FIB透射电镜样品制备

????这一技术的特点是从纳米或微米尺度的试样中直接切取可供透射电镜或高分辨电镜研究的薄膜。试样可以为IC芯片、纳米材料、颗粒或表面改性后的包覆颗粒,对于纤维状试样,既可以切取横切面薄膜也可以切取纵切面薄膜。对含有界面的试样或纳米多层膜,该技术可以制备研究界面结构的透射电镜试样。技术的另一重要特点是对原始组织损伤很小。

关键应用技术

?微观尺寸IC?芯片修改以纠正设计错误?

?更正铜线工艺及铝线工艺的连线错误?

?分离芯片不同模块以便纠错?

?连接额外电阻,电容调试优化芯片功能?

?增加探测触点,以便分析出错原因

?材料及器件失效分析?

?扫描电镜和透射电镜样品制备?

?材料和器件截面及截面二次电子像

关键FIB服务技术

?系统维修?

?技术改进和升级换代

?系统耗材和升级配件

?系统性能评估

?应用研发

?FIB用户培训

相关配套设备

面向对象

?针对应用产业:IC集成电路产业

?建议参加单位:IC芯片设计企业,具有IC研发项目的各大科研院校等

建议参加人员:芯片研发技术总监,芯片产品经理,IC芯片设计工程师,失效及可靠性分析工程师等

 
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.(2014年7月11)....................................................................................................
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